伺候了Haswell-E和Broadwell-E两代处理器之后，在Intel发烧级平台扛了三年的X99主板终于退役，继任者X299芯片组的到来伴随着整个CPU产品线的重塑，无论你原本是否属于HEDT平台的用户，都有必要通过此文来了解它们新的规格与特性。
Intel在22nm工艺下率先采用了3D-Tri Gate晶体管架构，它使用一个超薄的三维硅片取代了传统二维晶体管上的平面栅极，晶体管可以更加紧密地排列在一起，大幅提高了密度。具体晦涩的技术原理这里不赘述，总之这样可以使同样电压下获得37%的性能提升。反过来，相同性能下功耗可以下降50%。
Intel在14nm制程的Tri-Gage架构上撞了南墙
然而有得即有失，多了一个维度的晶体管通过激光蚀刻成型难度也成几何级增加。当Intel将3D-Tri Gate架构应用到14nm工艺时，晶体管栅极间距缩小到70nm，这个缩减与32nm到22nm的缩减幅度不相上下，导致晶体管漏电率大幅上升，晶圆良率下降。具体表现在CPU上的特征就是高频率稳定性差，发热畸高，用过第六代与第七代i7的玩家一定深有体会。
X299芯片组PCH的规格与X99相比几乎没什么变化，后者可视作体质改良版
制程的进步必须建立在上一代工艺成熟的技术上，原路线图中的10nm工艺被迫延期，Intel临时增加了一代继续采用14nm工艺的Kabylake内核，通过三代CPU产品来完善14nm。
庆幸的是，在经历好一番折腾之后，X299平台终于为我们送来了14nm的完全体：Skylake-X。
传说中的i9登场
X299平台的处理器接口为LGA2066，比X99平台的LGA2011增加了55个针脚。很久之前人们就在谈论Intel是否应该对发烧级平台的CPU采用"i9"的命名，便于区分主流性能级平台上的i7，如今这个设想化为现实：见下图
蓝框标注的为本次评测的CPU实物，令人诧异的是i5竟然也登陆了X299平台
从今往后拥有10C/20T及以上规格的CPU都被命名为i9，上一代的i7 6950X是第一款也是最后一款10C/20T的i7，在X299平台上与之对应的是i9 7900X。
凭借第二代3D Tri-Gate晶体管和完善的14nm工艺，Intel处理器核心规格呈爆炸式增长，这一代的旗舰产品i9 7980XE竟然拥有18C/36T，比上一代旗舰几乎增加一倍，这在历史上都是绝无仅有的。凭此一点我们也有理由相信14nm已经相当成熟。
遗憾的是本次首发评测小编无缘为大家展示i9的风采，第一时间能拿到的CPU实物只有定位倒数第二的i7 7740X，不过从大众消费的角度来讲，它比旗舰更有看头。
7740X与6800K正面对比
7740X与6800K针脚对比
7740X与7700K正面对比
7740X与7700K针脚对比
如此硕大的体型，如此多的针脚，又移除了核芯显卡，i7 7740X依然是双通道，16条用于显卡的PCI-E总线，这让人有些摸不着头脑。不过大幅增加的导热面积可以让人对超频和散热有所期待。
X299主板比X99有何不同？
本次测试平台为技嘉AORUS X299-GAMING 7主板。
标准ATX板型
LGA2066接口的散热器扣具与X99的LGA2011通用
5条完整规格的PCI-E插槽
