u盘读写次数限制-(u盘读写次数限制多少)

大家好，我是伟仔，今天来聊下对于SSD固态的使用寿命，我们经常会听到一种说法：写入次数多了，固态就没用了。为什么会这么说？今天就带你了解一下。

关于SSD的写入擦除：SSD闪存具有擦写次数的限制，也就是说它的寿命是有限的。闪存完全擦写一次叫做1次P/E，因此闪存的寿命就以P/E作为单位。

怎样才叫完全擦写？举个例子，你电脑上有一个固态120G的，你用迅雷下电影把把固态装满了，你在全部删除，就叫完全擦写，也就是SSD使用了一次P/E（寿命）。

SSD的寿命计算：根据闪存的操作性质，我们不难得出SSD寿命的计算公式，即：以TLC颗粒为例，它的擦写次数大约为1000 P/E，如果我们每天给 SSD写入10GB的数据，那么SSD的寿命=120GB*1000/10/365=33年

33年？计算结果难道出错了？没有错，不过这是理论值，要计算SSD的真正寿命，还要考虑一个重要的影响因素——写入放大。

那什么是写入放大？写入放大是SSD存在的弊端，即实际写入的物理数据量是写入数据量的多倍。

打个比方，当你首次向SSD写入数据时，单元都处于已擦除状态，因而数据可以直接写入，一次一页（大小通常为4至8KB）。这时候不存在写入放大的情况。但是，如果单元处于写入状态，那写入放大就会产生。我们以8KB Page、1024KB Block（128Page）来计算，并且其中127个Page已经写入了数据，那么结果会变成这样：小方块为Page，大方块是Block，该Block里127个Page都写入了数据，只有一个Page是空的。如果恰好有一个8KB的数据要写入，按理说填满就刚好，然而并不能。此时SSD的操作是，把原本127个Page里的数据读出来，然后擦除整个Block的数据，再将该8KB数据与之前127个Page里的数据一起写入Block中。

这带来的直接后果就是，我原本只是想写入8KB的数据，但实电脑际写入了1024KB，数据容量被放大了128倍。所以说，写入放大也就成了SSD寿命的一大克星，那我们要怎么去应对这表弊端呢？首先为了降低写入放大带来的消极影响，在使用SSD的过程中，尽量给SSD留出一部分空间。数据写在空白的块（die），就不会出现写入放大的情况。举个例子，你有一个120G的固态，不要把固态都塞满数据，要给它留一些空间到少留个20G左右出来。但是，随着SSD使用时间的增长，可用空间肯定会越来越少，因此单靠简单的空白块是不可行的。还要依靠主控中的GC垃圾回收、Trim、磨损均衡等技术进行充分保障。

固态硬盘的存储芯片和U盘的存储芯片的原理是一样的.只不过固态硬盘上面有很多的存储芯片和控制芯片优化写入过程,避免过度使用同一个存储单元.向硬盘写入数据是要影响寿命的，固态硬盘的写都是有次数限制的但读取数据就不会影响寿命，无限读取。

这个问题是怎么产生的呢？固态硬盘不同于传统的机械硬盘读写都需要磁头的摆动和马达的转动.固态硬盘使用的是电子，只有在操作固态硬盘的闪存芯片的时候才会产生一次有效的写入,正常读取的时候只是感应闪存芯片里面的数据,不对闪存芯片进行有效的数据操作因此不算入写入次数.固态硬盘寿命短主要在于存储介质存在读写次数问题。这个次数比起传统硬盘要少。不过一般用个3年还是行的。传统硬盘因为结构问题也就3年左右。传统的机械硬盘由于机械机构的金属疲劳的原因,基本上3年左右的时间硬盘就会出现不同程度的噪音.寻道时间变长导致的读取等待时间也变长。而固态硬盘的坏块数也是随着时间的变长再增加,坏块的出现会导致写入失败,写入和读取速度也会相应大减,但是不会突然就不能写入和读取了的。

基本上固态硬盘的原理和U盘的原理设计方式是一样的，存储芯片加控制芯片。因此也是存在写入次数的限制的，超过写入次数了该存储芯片就可能发生问题无法再次存储数据了，相对于普通的机械硬盘发生坏道的现象的概率还是比较低的有较大的数据安全优势。写入寿命有限（基于闪存）。一般闪存写入寿命为1万到10万次，特制的可达100万到500万次，然而整台计算机寿命期内文件系统的某些部分（如文件分配表）的写入次数仍将超过这一极限。特制的文件系统或者固件可以分担写入的位置，使固态硬盘的整体寿命达到20年以上。

固态硬盘的存储介质分为两种，一种是采用闪存（FLASH芯片）作为存储介质，另外一种是采用DRAM作为存储介质。

基于闪存的固态硬盘（IDE FLASH DISK、Serial ATA Flash Disk）：采用FLASH芯片作为存储介质，这也是我们通常所说的SSD。它的外观可以被制作成多种模样，例如：笔记本硬盘、微硬盘、存储卡、优盘等样式。这种SSD固态硬盘最大的优点就是可以移动，而且数据保护不受电源控制，能适应于各种环境，但是使用年限不高，适合于个人用户使用。在基于闪存的固态硬盘中，存储单元又分为两类：SLC（Single Layer Cell 单层单元）和MLC（Multi-Level Cell多层单元）。SLC的特点是成本高、容量小、但是速度快，而MLC的特点是容量大成本低，但是速度慢。MLC的每个单元是2bit的，相对SLC来说整整多了一倍。不过，由于每个MLC存储单元中存放的资料较多，结构相对复杂，出错的几率会增加，必须进行错误修正，这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存。此外，SLC闪存的优点是复写次数高达100000次，比MLC闪存高10倍。此外，为了保证MLC的寿命，控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法，使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊，达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。

基于DRAM的固态硬盘：采用DRAM作为存储介质，目前应用范围较窄。它仿效传统硬盘的设计、可被绝大部分操作系统的文件系统工具进行卷设置和管理，并提供工业标准的PCI和FC接口用于连接主机或者服务器。应用方式可分为SSD硬盘和SSD硬盘阵列两种。它是一种高性能的存储器，而且使用寿命很长，美中不足的是需要独立电源来保护数据安全。

总结一下，不管是PLCSSD 、SSD、还是M.2，容量不大的固态尽量不要分几个区。在固态使用中不要把空间都存满，要空出一部分。