在全球半导体行业中，芯片制程工艺以28nm为主要分水岭，28nm以上工艺被称为传统制程，而低于28nm的则是先进制程。回归到智能手机终端，目前已量产的最先进制程工艺无疑是5nm，比如说高通骁龙888芯片、苹果A14芯片等。
其中，高通骁龙888芯片首次采用三星5nm工艺生产，而苹果A14和华为麒麟9000芯片则是由台积电来完成。近日，三星在IEEE国际集成电路会议上，亮出了全球首款3nm工艺制程的SRAM存储芯片，实现了更前沿的技术突破。
3nm芯片何时到来？明年正式量产
三星的5nm工艺制程在大家看来不如台积电，不仅量产时间晚了很多，并且还被外界称为“7nm的改良版”，并非是真正的5nm。当然，不论是7nm还是5nm行业内都没有统一的标准，如果较真的话，那么台积电和三星都有问题。
不管怎样，5nm工艺芯片已经成为当下主流。而三星所秀出的3nm芯片，其实只是抢了个“时间差”，因为从业界消息得知，台积电也会在明年实现量产3nm工艺芯片，并且苹果下一代A15芯片将直接采用。
因此，可以确定的是，三星和台积电将于明年都会开始量产3nm芯片。
三星3nm工艺有望比台积电更先进
芯片功耗分为动态功耗和静态功耗，前者相当于工作时所产生的功耗，而后者则是各种精密元器件漏电功耗。而漏电功耗在实际中占到了芯片总功耗的50%以上，是真正的功耗杀手。
每一代芯片工艺的大进步，都会缩短CMOS晶体管的沟道长度，而沟道长度越短，漏电就越严重，所以在目前主流的5nm工艺时代，三星和台积电为了保守起见，均沿用了传统的FinFET晶体管，导致5nm集体功耗有些翻车。
而在3nm工艺中，三星将采用全新的GAAEFET晶体管，能够大幅降低电压功耗。作为对比，台积电则依然还是FInFET晶体管。反映到最终数据对比上看：
三星称自家3GAE工艺能将芯片晶体管密度增加最多80%，性能提高最多30%，或者功耗降低最多50%；而台积电的3nm FinFET工艺则最多提高晶体管密度70%，性能提升11%，功耗降低27%，显然大大不如前者。
最后，回到我们国内半导体行业来看，虽然比起台积电和三星的工艺掌握差距还非常大，但是传统制程方面已经基本成熟，接下来就是全力攻克先进工艺制程。同时，华为所面临的芯片危机想必迟早也会得到解决。
