影响U盘读写速度不同的几大因素分析

　　大家都知道，U盘主要由主控芯片和flash芯片组成，所以影响U盘速度的因素也就分为主控芯片和flash芯片两方面。本文就为大家分析影响U盘读写速度不同的几大因素，希望对大家有所帮助！

　　速度达到80MB/s的USB3.0优盘

　　速度达到160MB/s的优盘

　　速度达到220MB/s以上的优盘

　　光从这些测试结果来看，差距确实是相当明显的。当然，不同优盘厂商的实力会对产品品质产生一定影响，但这并不是关键因素。这些产品之间产生的速度差关键还在于主控与芯片。不同的芯片稳定性、速度不一样，而不同的主控也决定着优盘的兼容性、速度以及是否实现量产等等问题。今天我们就一起来聊聊这两个大问题。

　　原因一：Flash芯片速度差别大

　　首先，就芯片问题来说，目前市场上存在着SLC、MLC以及TLC三种。SLC芯片优盘在速度上有明显的优势，充分显示了SLC芯片的强大性能。SLC芯片在载入速度以及数据传输速度上有着强大的优势，在能耗上SLC也要低于MLC。此外，由于SLC芯片可以保证十万次左右的稳定存取，因此它有着更长久的使用寿命。

　　MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构的储存密度较高，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。

　　SLC与MLC参数对比

　　TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，TLC架构正式问世后，1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。在TLC成功推广的道路上，闪存大厂东芝与三星可是立下汗马功劳，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。

　　SLC、MLC、TLC对比

　　从上面的介绍中，我们看到SLC、MLC与TLC技术的优劣之处在哪，也可以得出这样一个结论：MLC是今后NAND Flash的发展趋势，就像CPU单核心、双核心、四核心一样，MLC技术通过每Cell存储更多的bit来实现容量上的成倍跨越，直至更先进的架构问世。SLC的成本伤不起，TLC则更有可能引起数据的安全隐患，所以选择MLC的优盘更靠谱。

　　原因二：优盘主控影响很重要

　　说完芯片的问题，接下来我们说说主控的原理。就目前市场上的优盘产品主控有很多种，最常见的就是银灿、群联、擎泰、慧荣、联盛、鑫创、安国与芯邦主控。每一个主控都有自己的优势与劣势。很多网友都对优盘量产有很大兴趣，而每个主控的量产工具也有所不同。这门学问太深了，笔者目前也没搞清楚(很抱歉)，所以就不详细说了。

　　银灿在2012年积极布局品牌系统厂市场以及大陆市场，同时针对新制程Flash推出新一代控制芯片IS903(双信道芯片)，支持最新制程的21nm/20nm/19nm MLC型NAND Flash，以及 IS916EN(单信道芯片)支持最新制程的21nm/19nm TLC型的NAND Flash，让客户可以使用银灿提供的双信道芯片(IS903)开发中高阶高速产品，以及单信道芯片(IS916EN)开发低阶产品，来规划完整的产品线。现在很多极速USB3.0优盘选用银灿作为主控制器。

　　威刚S107选用银灿主控